半導体用酸化物スパッタリングターゲット
前工程
IGZOよりも高電子移動度の酸化物半導体
コベルコ科研ターゲット事業本部から、Φ300mm Siウェハに対応した酸化物半導体スパッタリングターゲットをご紹介します。
本材料は従来の酸化物半導体（IGZO）に対し、高い電子移動度と信頼性を示す独自開発の酸化物半導体で、フラットパネルディスプレイ用途ではすでに多くの実用化実績のある材料です。
Si半導体用途においては、混載メモリデバイスへと応用し、メモリ動作の向上を確認しています。将来のエッジデバイスの機能向上やAIの社会実装に貢献する材料としてご提案させていただきます。
取扱会社：株式会社コベルコ科研
特長
- KOS-B03Cはa-Si,IGZOよりも高電子移動度
酸化物半導体トランジスタの小型化を実現。 - 低温プロセス（350℃）に対応
バックエンド工程中にトランジスタ形成が可能。 - DCスパッタ成膜が可能なワイドバンドギャップ材料
透明フィルム上に透明なトランジスタ形成が可能。 - 低リーク電流のトランジスタ形成が可能
結晶Siと酸化物半導体トランジスタのハイブリット化で消費電力低減に寄与。
半導体薄膜特性
| Thin-film semiconductor material | a-Si | LTPS (low temperature poly-Si) |
Oxide |
|---|---|---|---|
| Electron mobility (cm2/Vs) | 0.5 - 1 | 60 - 100 | IGZO:10 KOS-B03C:20-30 |
| Deposition method | CVD | CVD & Laser Anneal | DC Magnetron Sputtering |
| Large area | Possible | Impossible | Possible |
| Process temperature(℃) | < 350 | < 600 | < 350 |
| Band gap(eV) | 1.4 - 1.8 | 1.1 | 2.9 - 3.3 |
| Off leakage current(A/mm) | 1×10-13 | 1×10-12 | 1×10-16 |
特性
薄膜トランジスタ特性
| Back-Channel-Etch type | Top-Gate type | |
|---|---|---|
| Transfer curve |
 |
 |
| Saturation mobility | 29.1cm2/Vs | 24.4cm2/Vs |
| Vth | 0.50V | -0.75V |
| S.S. | 0.17V/dec. | 0.16V/dec. |
製品ラインナップ
様々なサイズや形状のスパッタリングターゲット製品が供給可能です。
お問い合わせ
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