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化合物半導体単結晶製造装置

装置外観

化合物半導体を用いた各種デバイスの高性能化、低コスト化の要求から、結晶の低転位密度化、大口径化が望まれています。これらの要求に応じるべく、高圧垂直ブリッジマン(Vertical Bridgman:VB)方式を採用した結晶製造装置を開発し、市場に投入しました。

VB法とは

装置概念図
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最高仕様温度 1650℃
最高仕様圧力 9.8MPa (100kgf/cm2)
ルツボサイズ 直径2インチ × 長さ150mm
ヒータ形式 高純度グラファイト製6ゾーン
圧力支持方式 プレスフレーム

適用例

成長条件
結晶サイズ 2インチ
結晶成長方位 <100>および<111>
ドーパント Sドープ、アンドープ
圧力 7.8MPa(アルゴンガス)
成長速度 3mm/hr

本装置は 族(GaAs, GaP, InP)、 族(ZnSe)等の各種化合物半導体の製造に適用可能です。GaP結晶サンプルの転位密度分布例を下図に示します。アンドープにて740cm-2、Sドープでは10cm-2以下と従来品(LEC品)に対して1/100以下と大きく低減することができました。

GaP単結晶転位密度分布

アニール装置、原料合成装置、超高圧単結晶製造措置(1GPa級)などの関連装置も設計、製作致します。 下記までお問い合わせください。

その他のHIP装置

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