化合物半導体単結晶製造装置
化合物半導体を用いた各種デバイスの高性能化、低コスト化の要求から、結晶の低転位密度化、大口径化が望まれています。これらの要求に応じるべく、高圧垂直ブリッジマン(Vertical Bridgman:VB)方式を採用した結晶製造装置を開発し、市場に投入しました。
VB法とは
| 最高仕様温度 | 1650℃ |
|---|---|
| 最高仕様圧力 | 9.8MPa (100kgf/cm2) |
| ルツボサイズ | 直径2インチ × 長さ150mm |
| ヒータ形式 | 高純度グラファイト製6ゾーン |
| 圧力支持方式 | プレスフレーム |
適用例
本装置は族(GaAs, GaP, InP)、族(ZnSe)等の各種化合物半導体の製造に適用可能です。GaP結晶サンプルの転位密度分布例を下図に示します。アンドープにて740cm-2、Sドープでは10cm-2以下と従来品（LEC品）に対して1/100以下と大きく低減することができました。
| 成長条件 | |
|---|---|
| 結晶サイズ | 2インチ |
| 結晶成長方位 | <100>および<111> |
| ドーパント | Sドープ、アンドープ |
| 圧力 | 7.8MPa（アルゴンガス） |
| 成長速度 | 3mm/hr |
GaP単結晶転位密度分布
アニール装置、原料合成装置、超高圧単結晶製造措置（1GPa級）などの関連装置も設計、製作致します。下記までお問い合わせください。
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